IS62WV5128BLL-55BI备选型号: IS62WV2568BLL-55BLI
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电流
- 组织结构
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA表面贴装36-TFBGAYES36Volatile-40°C~85°C TATraye0no活跃2 (1 Year)36Tin/Lead (Sn/Pb)2.5V~3.6VBOTTOM12.8V0.75mm363.3V3.6V2.5V4Mb 512K x 81SRAMParallel3-STATE855ns19b4 Mb55 nsCOMMON8mm无Non-RoHS Compliant---------
- IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA表面贴装36-TFBGA-36Volatile-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)36Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2.5V~3.6VBOTTOM13V0.75mm363.3V3.6V2.5V2Mb 256K x 81SRAMParallel3-STATE855ns18b2 Mb55 nsCOMMON8mm无ROHS3 Compliant8 Weeks表面贴装2604015mA256KX8Asynchronous8b1V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS63LV1024L-12BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | IC SRAM 1M PARALLEL 36MINIBGA | 对比 | |
| IS61WV5128BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA | 对比 | |
| IS61WV2568EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS | 对比 |


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