IS63LV1024-12KL备选型号: AS7C31024B-12TJCN
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 访问时间
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- 无铅
- IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ表面贴装表面贴装32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)32Volatile0°C~70°C TATubee3yes最后一次购买2 (1 Year)32Matte Tin (Sn) - annealed3V~3.6VDUAL26013.3V40323.3V3.6V3V1Mb 128K x 81130mASRAMParallel3-STATE812ns17b1 MbCOMMONAsynchronous8b2V20.95mm3.75mm无ROHS3 Compliant-----------
- SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM-表面贴装32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)32Volatile0°C~70°C TATube--活跃3 (168 Hours)--3V~3.6V------3.3V--1Mb 128K x 81-SRAMParallel--12ns17b1 Mb------无ROHS3 Compliant8 Weeks32-SOJ200270°C0°CParallel3.6V3V12ns83MHz无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C31024B-12TJCN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | 71V124SA12PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SOIC | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |
![]() | 71V124SA12YG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |





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