IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR备选型号: IS61WV51216BLL-10TLI
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 供电
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大电流源
- 电源
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 达到SVHC
- IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II10 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile140mA-40°C~125°C TATape & Reel (TR)活跃2 (1 Year)2.4V~3.6V8Mb 512K x 161SRAMParallel10ns19b8 MbAsynchronous16b无ROHS3 Compliant--------------------
- IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile95mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)3.3V8Mb 512K x 161SRAMParallel10ns19b8 MbAsynchronous16b无ROHS3 CompliantYESe3yes44Matte Tin (Sn) - annealedDUAL26010.8mm1025mA2.5/3.3V3-STATE160.02A100MHzCOMMON3.6V2.4V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV51216BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 8Mb, High-Speed, Async, 512K x 16, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS | 对比 | |
| IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY7C1051DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1051DV33-10ZSXI SRAM, 8MBIT, PARALLEL, 10NS, 44TSOP | 对比 |


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