IS66WV1M16DBLL-70BLI备选型号: IS61WV12816DBLL-10BLI

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 访问时间(最大)
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源
  • 待机电流-最大值
  • 最高频率
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    PSRAM Async Single 16M-bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    48
    3.3V
    BOTTOM
    1
    0.75mm
    不合格
    16Mb 1M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    70ns
    20b
    16 Mb
    70 ns
    COMMON
    3.6V
    2.5V
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3.3V
    BOTTOM
    1
    0.75mm
    -
    2Mb 128K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    10ns
    17b
    2 Mb
    -
    COMMON
    3.6V
    2.4V
    8mm
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    65mA
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    10
    2.5/3.3V
    0.00007A
    100MHz
    Asynchronous
    16b
    2V
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