IS66WV51216EBLL-55TLI备选型号: IS62C256AL-45TLI

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 内存大小
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  • 组织结构
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  • 写入周期时间 - 字符、页面
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  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电源
  • 端口的数量
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
    10 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    3V
    DUAL
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    R-PDSO-G44
    8Mb 512K x 16
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    512KX16
    16
    55ns
    8388608 bit
    55 ns
    3.6V
    2.5V
    18.41mm
    1.2mm
    10.16mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 45ns 28-Pin TSOP-I
    8 Weeks
    表面贴装
    28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    5V
    DUAL
    260
    1
    0.55mm
    40
    -
    256Kb 32K x 8
    -
    SRAM
    Parallel
    32KX8
    -
    45ns
    -
    45 ns
    -
    -
    8.1mm
    -
    11.9mm
    ROHS3 Compliant
    28
    25mA
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    5V
    1
    3-STATE
    15b
    256 kb
    0.00002A
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    1mm
    无铅
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