IS66WV51216EBLL-70TLI备选型号: CY62126EV30LL-45ZSXI
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
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- 写入周期时间 - 字符、页面
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- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 频率
- 基本部件号
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II10 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)443VDUAL未说明10.8mm未说明8Mb 512K x 16ASYNCHRONOUSPSRAMParallel512KX161670ns8388608 bit70 ns3.6V2.5V18.41mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant----------------------
- CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62126EV30LL-45ZSXI SRAM, 1MB, 64KX16, 3V, TSOPII-446 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)-44Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)443VDUAL26010.8mm301Mb 64K x 16-SRAMParallel--45ns-45 ns3.6V2.2V18.52mm-10.262mmROHS3 Compliant表面贴装16mA1998MoBL®e4yesEAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1MHzCY6212613-STATE16b1 Mb0.000003ACOMMONAsynchronous16b1.044mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021DV33-10ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021DV33-10ZSXIT SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, TSOP-44 | 对比 | |
| CY62126EV30LL-45ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62126EV30LL-45ZSXI SRAM, 1MB, 64KX16, 3V, TSOPII-44 | 对比 | |
| CY7C1021DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, 44TSOP | 对比 |


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