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首页 全部分类 IS66WVE1M16EBLL-70BLI vs M28W160ECB70ZB6E

IS66WVE1M16EBLL-70BLI备选型号: M28W160ECB70ZB6E

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  • 电压
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  • 行业规模
  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVE1M16EBLL-70BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    PSRAM Async 16M-Bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    3.6V
    2.7V
    16Mb 1M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    16
    70ns
    20b
    16 Mb
    70 ns
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    M28W160ECB70ZB6E
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 16M PARALLEL 46TFBGA
    -
    表面贴装
    46-TFBGA
    YES
    46
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    46
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    0.75mm
    30
    -
    -
    16Mb 1M x 16
    -
    -
    FLASH
    Parallel
    16
    70ns
    20b
    16 Mb
    70 ns
    6.39mm
    ROHS3 Compliant
    e1
    yes
    EAR99
    锡银铜
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    3V
    M28W160
    46
    3/3.3V
    2.7V
    18mA
    1MX16
    0.000005A
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    831
    4K32K
    BOTTOM
    YES
    1.2mm
    无
  • 添加型号
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