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首页 全部分类 ISL9R860P2 vs DSR8A600

ISL9R860P2备选型号: DSR8A600

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  • 相位的数量
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  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 参考标准
  • 输出电流-最大值
  • 电容@Vr, F
  • 反向电压(直流电)
  • ON Semiconductor
    ISL9R860P2
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    4.535924g
    SILICON
    1
    Tube
    Stealth™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    快速软恢复
    SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE
    8541.10.00.80
    30pF
    600V
    8A
    ISL9R860
    600V
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    8A
    Standard
    100μA @ 600V
    85W
    8A
    2.4V @ 8A
    CATHODE
    8A
    -55°C~175°C
    100A
    2.4V
    600V
    8A
    1
    30 ns
    100μA
    600V
    100A
    600V
    100A
    30 ns
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DSR8A600
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    -
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    -
    SILICON
    1
    Tube
    -
    2016
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    快速软恢复
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    -
    -
    -
    -
    -
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    -
    Standard
    20μA @ 600V
    -
    -
    3.2V @ 8A
    -
    8A
    150°C Max
    65A
    2.3V
    600V
    8A
    1
    30 ns
    20μA
    600V
    65A
    -
    -
    20 ns
    4.82mm
    10.26mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    8A
    7.7pF @ 100V 1MHz
    600V
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