ON Semiconductor ISL9R860P2
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ISL9R860P2
1807-ISL9R860P2
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
--最小包装量--
ISL9R860P2详情
ON Semiconductor ISL9R860P2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
引脚数
2
质量
4.535924g
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tube
系列
Stealth™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
应用
快速软恢复
附加功能
SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
30pF
电压 - 额定直流
600V
额定电流
8A
基本部件号
ISL9R860
电压
600V
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
电流
8A
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 600V
功率耗散
85W
输出电流
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.4V @ 8A
箱体转运
CATHODE
正向电流
8A
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
最大浪涌电流
100A
正向电压
2.4V
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
8A
相位的数量
1
反向恢复时间
30 ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
峰值非恢复性浪涌电流
100A
反向电压
600V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100A
恢复时间
30 ns
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ISL9R860P2拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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