ISO5852SDW备选型号: MCP1404-E/SN

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 审批机构
  • 电压-隔离度
  • 最大输出电流
  • 工作电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 通道数量
  • 传播延迟
  • 输出极性
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 传播延迟(最大延迟差)
  • 共模瞬态抗扰度(最小)
  • 高边驱动器
  • 电压 - 输出电源
  • 电源电压1-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 供电
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 信道型
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 关断时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    -40°C~125°C
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    16
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    1
    5V
    ISO5852
    CQC, CSA, UR, VDE
    5700Vrms
    5.5A
    2.121kV
    5.5V
    2.25V
    1
    110 ns
    TRUE
    18ns 20ns
    AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
    110ns, 110ns
    100kV/μs
    NO
    15V~30V
    30V
    2.65mm
    10.3mm
    7.5mm
    2.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    -
    MCP1404
    -
    -
    4.5A
    -
    -
    -
    -
    48 ns
    -
    15ns 18ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    -
    -
    NO
    -
    -
    1.4986mm
    4.8768mm
    3.9116mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Low-Side
    2003
    4.5V~18V
    260
    40
    8
    2
    25mV
    2mA
    4.5A
    2mA
    Non-Inverting
    48 ns
    28ns
    28 ns
    Independent
    10μA
    0.065 μs
    4.5A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4.5A 4.5A
    0.065 μs
    无SVHC
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