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IX2113B备选型号: AUIRS2112STR

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  • 最大输出电流
  • 电源
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 接口IC类型
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IX2113B
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DVR HIGH/LOW 600V 16SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16-SOIC
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    10V~20V
    Non-Inverting
    9.4ns 9.7ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    600V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2112STR
    Infineon Technologies
    -
    -
    SOIC
    -
    1.25W
    -
    -
    -
    -
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    16
    e3
    16
    EAR99
    Tin (Sn)
    125°C
    -40°C
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    600mA
    15V
    AUTOMOTIVE
    20V
    10V
    1.25W
    290mA
    230 ns
    50 ns
    140ns
    60 ns
    基于半桥的外设驱动器
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    水槽
    2.3622mm
    10.4902mm
    7.5946mm
    无
    无铅
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