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首页 全部分类 IXA12IF1200PB vs IRGB5B120KDPBF

IXA12IF1200PB备选型号: IRGB5B120KDPBF

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  • 闸门收费
  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
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  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXA12IF1200PB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200PB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE TIN
    85W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    85W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    20A
    350 ns
    TO-220AB
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 10A
    350 ns
    PT
    27nC
    1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    16mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGB5B120KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    1.2kV
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    89W
    -
    -
    -
    -
    Single
    89W
    Standard
    -
    -
    3V
    12A
    160 ns
    -
    1200V
    -
    3V @ 15V, 6A
    -
    NPT
    25nC
    390μJ (on), 330μJ (off)
    -
    -
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    TO-220AB
    150°C
    -55°C
    1.2kV
    12A
    22 ns
    89W
    19ns
    24A
    22ns/100ns
    无
    无铅
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