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IXA20I1200PB备选型号: IXA12IF1200PB
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- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
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- 关断时间-标准值（toff)
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
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- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
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IXYS SEMICONDUCTOR IXA20I1200PB IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins28 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON1.2kV2.1V-40°C~150°C TJTube2009yes活跃1 (Unlimited)3EAR99165W未说明未说明3不合格Single130WStandard165W电源控制N-CHANNEL1.2kV38ATO-220AB1200V110 ns2.1V @ 15V, 15A350 nsPT47nC1.65mJ (on), 1.7mJ (off)20V6.5V16mm10.66mm4.82mm无SVHCROHS3 Compliant---- IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200PB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins28 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON1.2kV2.1V-40°C~150°C TJTube2009yes活跃1 (Unlimited)3EAR9985W未说明未说明3不合格Single85WStandard-电源控制N-CHANNEL1.2kV20ATO-220AB1200V110 ns2.1V @ 15V, 10A350 nsPT27nC1.1mJ (on), 1.1mJ (off)20V6.5V16mm10.66mm4.82mm无SVHCROHS3 Compliante3PURE TIN350 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA12IF1200PB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200PB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins | 对比 |
 | HGTP10N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 |
| IXGP20N120A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 1200V 40A 180W TO220 | 对比 |
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