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首页 全部分类 IXA55I1200HJ vs NGTB40N120FL2WG

IXA55I1200HJ备选型号: NGTB40N120FL2WG

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 无铅
  • IXYS
    IXA55I1200HJ
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA55I1200HJ IGBT Single Transistor, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    290W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    290W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    84A
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    350 ns
    PT
    190nC
    4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB40N120FL2WG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    535W
    -
    -
    3
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    313nC
    3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6.500007g
    535W
    240 ns
    200A
    116ns/286ns
    无铅
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