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首页 全部分类 IXBF15N300C vs IXBF32N300

IXBF15N300C备选型号: IXBF32N300

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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IXYS
    IXBF15N300C
    IXYS
    IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    300W
    Standard
    300W
    6V
    37A
    706 ns
    3000V
    6V @ 15V, 15A
    267nC
    300A
    40ns/455ns
    9.15mJ (on), 1.4mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBF32N300
    IXYS
    IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    160W
    Standard
    160W
    3.2V
    40A
    1.5 μs
    3000V
    3.2V @ 15V, 32A
    142nC
    250A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e1
    yes
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    573 ns
    795 ns
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