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首页 全部分类 IXBH10N170 vs IXA12IF1200HB

IXBH10N170备选型号: IXA12IF1200HB

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXBH10N170
    IXYS
    IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    140W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    140W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    20A
    360 ns
    TO-247AD
    1700V
    63 ns
    3.8V @ 15V, 10A
    1800 ns
    30nC
    40A
    35ns/500ns
    6mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA12IF1200HB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200HB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    85W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    -
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    20A
    350ns
    TO-247AD
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 10A
    350 ns
    27nC
    -
    -
    1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    85W
    PT
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
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