IXBH16N170A备选型号: IRG4PH30KPBF
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- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 最大集电极电流
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- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终端
- ECCN 代码
- 达到SVHC
- IGBT 1700V 16A 150W TO247AD30 Weeks通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON1.7kV-55°C~150°C TJBulkBIMOSFET™2000yes活跃1 (Unlimited)3低开关损耗1.7kV150W16A3Single150WCOLLECTORStandard15 nsMOTOR CONTROL25nsN-CHANNEL1.7kV16A360 nsTO-247AD1700V43 ns6V @ 15V, 10A370 ns65nC40A15ns/160ns1.2mJ (off)20V5.5V100ns21.46mm16.26mm5.3mm无ROHS3 Compliant无铅----
- IGBT 1200V 20A 100W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube-2000-最后一次购买1 (Unlimited)3低导通损耗1.2kV100W20A-Single100WCOLLECTORStandard-MOTOR CONTROL23nsN-CHANNEL4.2V20A-TO-247AC1200V53 ns4.2V @ 15V, 10A640 ns53nC40A28ns/200ns640μJ (on), 920μJ (off)20V6V170ns20.3mm15.875mm5.3mm无ROHS3 Compliant无铅3.1V通孔EAR99无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBH10N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1700V 20A 140W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 20A 100W TO247AC | 对比 |
![]() | IXGH16N170A | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1700V 16A 190W TO247 | 对比 |




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