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首页 全部分类 IXBH6N170 vs IRG8P08N120KD-EPBF

IXBH6N170备选型号: IRG8P08N120KD-EPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • Reach合规守则
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • IXYS
    IXBH6N170
    IXYS
    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    75W
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    75W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    12A
    1.08 μs
    1700V
    104 ns
    3.4V @ 15V, 6A
    700 ns
    17nC
    36A
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P08N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    6.500007g
    -
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2015
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    89W
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    8A
    50 ns
    1200V
    -
    2V @ 15V, 5A
    -
    45nC
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    unknown
    20ns/160ns
    300μJ (on), 300μJ (off)
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