您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXBH6N170 vs IXGH20N120A3

IXBH6N170备选型号: IXGH20N120A3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXBH6N170
    IXYS
    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    75W
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    75W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    12A
    1.08 μs
    1700V
    104 ns
    3.4V @ 15V, 6A
    700 ns
    17nC
    36A
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH20N120A3
    IXYS
    IGBT 1200V 40A 180W TO247
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    180W
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    40A
    -
    1200V
    66 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    1530 ns
    50nC
    120A
    20V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    未说明
    未说明
    IXG*20N120
    不合格
    180W
    TO-247AD
    PT
    16ns/290ns
    2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRG8P08N120KDPBF IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC 对比
IRG8P08N120KD-EPBF IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD 对比
IRG7PH28UD1PBF IRG7PH28UD1PBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 30A 115W TO247AC 对比