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首页 全部分类 IXBK75N170A vs APT50GN120L2DQ2G

IXBK75N170A备选型号: APT50GN120L2DQ2G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
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  • 接通延迟时间
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  • IGBT类型
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXBK75N170A
    IXYS
    IGBT 1700V 110A 1040W TO264
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2003
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1.04kW
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    IXB*75N170
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    1040W
    电源控制
    N-CHANNEL
    6V
    110A
    360 ns
    1700V
    65 ns
    6V @ 15V, 42A
    595 ns
    358nC
    300A
    26ns/418ns
    3.8mJ (off)
    20V
    5.5V
    110ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GN120L2DQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 134A 543W TO264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    543W
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    134A
    -
    1200V
    55 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    600 ns
    315nC
    150A
    28ns/320ns
    4495μJ (off)
    -
    6.5V
    -
    符合RoHS标准
    3
    10.6g
    1.7V
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    1.2kV
    134A
    Single
    28 ns
    134A
    NPT, Trench Field Stop
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    无铅
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