IXBL64N250备选型号: IXGH25N250

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  • JESD-30代码
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUSi5-Pak™
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    500W
    SINGLE
    4
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    Standard
    500W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3V
    116A
    160 ns
    2500V
    632 ns
    3V @ 15V, 64A
    397 ns
    400nC
    750A
    25V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    2.5kV
    -
    Tube
    -
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    250W
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5kV
    60A
    -
    2500V
    301 ns
    5.2V @ 15V, 75A
    409 ns
    75nC
    200A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    150°C
    -55°C
    IXG*25N250
    Single
    NPT
    无铅
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