IXYS IXBL64N250

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUSi5-Pak™

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.5kV

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

500W

端子位置

SINGLE

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

500W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

116A

反向恢复时间

160 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

2500V

接通时间

632 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 64A

关断时间-标准值（toff)

397 ns

闸门收费

400nC

集极脉冲电流（Icm）

750A

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant