IXBT16N170A备选型号: IXBT10N170

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2 Tab) TO-268
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    4.500005g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    低开关损耗
    1.7kV
    150W
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    16A
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    150W
    COLLECTOR
    Standard
    15 ns
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.7kV
    16A
    360 ns
    1700V
    43 ns
    6V @ 15V, 10A
    370 ns
    65nC
    40A
    15ns/160ns
    1.2mJ (off)
    20V
    5.5V
    100ns
    5.1mm
    16.05mm
    14mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-268
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    4.500005g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    PURE TIN
    -
    -
    140W
    鸥翼
    未说明
    unknown
    -
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    140W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    20A
    360 ns
    1700V
    63 ns
    3.8V @ 15V, 10A
    1800 ns
    30nC
    40A
    35ns/500ns
    6mJ (off)
    20V
    5V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3.4V
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