IXBT16N170A备选型号: IXBT10N170
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2 Tab) TO-26826 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1.7kV-55°C~150°C TJBulkBIMOSFET™2000e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)低开关损耗1.7kV150W鸥翼未说明not_compliant16A未说明4R-PSSO-G2不合格Single150WCOLLECTORStandard15 nsMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.7kV16A360 ns1700V43 ns6V @ 15V, 10A370 ns65nC40A15ns/160ns1.2mJ (off)20V5.5V100ns5.1mm16.05mm14mmROHS3 Compliant无铅-
- Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1.7kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2003e3yes活跃1 (Unlimited)2PURE TIN--140W鸥翼未说明unknown-未说明4R-PSSO-G2不合格Single140WCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.7kV20A360 ns1700V63 ns3.8V @ 15V, 10A1800 ns30nC40A35ns/500ns6mJ (off)20V5V----ROHS3 Compliant-3.4V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBT10N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
![]() | IXGT16N170AH1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1700V 16A 190W TO268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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