IXBT42N300HV备选型号: APT25GR120S
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- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- ECCN 代码
- IGBT类型
- 开关能量
- 无铅
- IGBT 3000V 42A 357W TO26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2014活跃1 (Unlimited)500WunknownStandard500WN-CHANNEL3V104A1.7 μs3000V3V @ 15V, 42A200nC400A72ns/445ns25V5VROHS3 Compliant----
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK19 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA1.2kV-55°C~150°C TJBulk-2001活跃1 (Unlimited)521W-Standard521WN-CHANNEL3.2V75A-1200V3.2V @ 15V, 25A203nC100A16ns/122ns30V6.5V符合RoHS标准EAR99NPT742μJ (on), 427μJ (off)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBT20N300HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 3000V 50A 250W TO268 | 对比 |
![]() | IXBT12N300 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 3000V 30A 160W TO268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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