IXBT42N300HV备选型号: IXBT12N300HV
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- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 输入类型
- 功率 - 最大
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- IGBT 3000V 42A 357W TO26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2014活跃1 (Unlimited)500WunknownStandard500WN-CHANNEL3V104A1.7 μs3000V3V @ 15V, 42A200nC400A72ns/445ns25V5VROHS3 Compliant--
- IGBT 3000V 30A 160W TO26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2013活跃1 (Unlimited)160WunknownStandard160WN-CHANNEL3.2V30A1.4 μs3000V3.2V @ 15V, 12A62nC100A64ns/180ns20V5VROHS3 Compliante3Matte Tin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBT20N300HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 3000V 50A 250W TO268 | 对比 |
![]() | IXBT12N300 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 3000V 30A 160W TO268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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