IXBX64N250备选型号: FGL40N120ANDTU
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- Td(开/关)@25°C
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- IGBT类型
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 156A 3-Pin(3 Tab) TO-26428 Weeks通孔通孔TO-247-37.300002gSILICON2.5kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2007e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗735W3R-PSIP-T3SingleCOLLECTORStandard735W电源控制N-CHANNEL2.5kV156A160 ns2500V632 ns3V @ 15V, 64A397 ns400nC600A49ns/232ns25V5V无ROHS3 Compliant无铅------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3 Tab) TO-264 Rail4 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA6.756gSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube-2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3--500W--Single-Standard-电源控制N-CHANNEL1.2kV64A112 ns1200V45 ns3.2V @ 15V, 40A165 ns220nC160A15ns/110ns--无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin33.15VEAR998541.29.00.951.2kV64A500W15 ns20ns150°C64ANPT2.3mJ (on), 1.1mJ (off)29mm20mm5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGL160N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IXBK55N300 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 3KV 130A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | IXXK100N60C3H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA Variation | IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked | 对比 |




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