IXYS IXXK100N60C3H1

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA Variation

质量

10.000011g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

360V, 70A, 2 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™, XPT™

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

695W

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

基本部件号

IXX*N60

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

695W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

170A

反向恢复时间

140 ns

接通时间

95 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 70A

关断时间-标准值（toff)

220 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

150nC

集极脉冲电流（Icm）

340A

Td（开/关）@25°C

30ns/90ns

开关能量

2mJ (on), 950μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant