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IXDD630MYI备选型号: IXDD630YI

IXDD630MYI

IXYS Integrated Circuits Division

IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

11 Weeks
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
表面贴装
表面贴装
TO-263-5
1.59999g
Low-Side
2011
Tube
-55°C~150°C TJ
活跃
3 (168 Hours)
125°C
-40°C
9V~35V
1
9V
30A
1
35V
9V
10μA
30A
65 ns
Non-Inverting
100 ns
11ns
11 ns
11ns 11ns
Single
1
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
30A 30A
ROHS3 Compliant
无铅
-
IXDD630YI

IXYS Integrated Circuits Division

IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

11 Weeks
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
表面贴装
表面贴装
TO-263-5
1.59999g
100 ns
2006
Tube
-55°C~150°C TJ
活跃
3 (168 Hours)
125°C
-40°C
12.5V~35V
1
12.5V
30A
1
35V
10V
10μA
30A
65 ns
Non-Inverting
100 ns
20ns
18 ns
11ns 11ns
Single
1
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
30A 30A
ROHS3 Compliant
-
无
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