IXDH30N120备选型号: IXA33IF1200HB
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
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- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 60A 300W TO247AD32 Weeks通孔通孔TO-3P-3 Full Pack36.500007gSILICON1.2kV2.4V-55°C~150°C TJTube2005yes活跃1 (Unlimited)3低开关损耗300W未说明not_compliant未说明IXD*30N1203不合格Single300WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV60ATO-247AD1200V170 ns2.9V @ 15V, 30A570 nsNPT120nC76A4.6mJ (on), 3.4mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant--------
- IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins-通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV1.8V-40°C~150°C TJTube2001yes活跃1 (Unlimited)3低导通损耗250W未说明-未说明-3不合格Single250W-Standard电源控制N-CHANNEL1.2kV58ATO-247AD1200V110 ns2.1V @ 15V, 25A350 nsPT76nC-2.5mJ (on), 3mJ (off)20V6.5VROHS3 Compliante1EAR99锡银铜350ns21.45mm16.24mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP30B120KD-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD | 对比 |
![]() | HGTG18N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 54A 390W TO247 | 对比 |
![]() | IRG7PH44K10DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 70A 320W TO247AC | 对比 |







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