IXYS IXA33IF1200HB

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 25A, 39 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

250W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

58A

反向恢复时间

350ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

110 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 25A

关断时间-标准值（toff)

350 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

76nC

开关能量

2.5mJ (on), 3mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.45mm

长度

16.24mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant