IXDI630YI备选型号: IXDD630YI

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
    TO-263-5
    1.59999g
    Low-Side
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    活跃
    3 (168 Hours)
    125°C
    -40°C
    12.5V~35V
    1
    12.5V
    30A
    1
    35V
    10V
    10μA
    30A
    65 ns
    Inverting
    100 ns
    20ns
    18 ns
    11ns 11ns
    Single
    1
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    30A 30A
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
    TO-263-5
    1.59999g
    100 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    3 (168 Hours)
    125°C
    -40°C
    12.5V~35V
    1
    12.5V
    30A
    1
    35V
    10V
    10μA
    30A
    65 ns
    Non-Inverting
    100 ns
    20ns
    18 ns
    11ns 11ns
    Single
    1
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    30A 30A
    ROHS3 Compliant
    -
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