IXDR30N120备选型号: NGTB25N120SWG
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 极性
- 元素配置
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- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 功率 - 最大
- 反向恢复时间
- Td(开/关)@25°C
- 高度
- 长度
- 宽度
- IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120 IGBT Single Transistor, Isolated, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins32 Weeks通孔通孔ISOPLUS247™3SILICON1.2kV2.4V-55°C~150°C TJTube2004e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)HIGH SPEED SWITCHING, LOW SWITCHING LOSS, FAST RECOVERY200W未说明未说明IXD*30N1203不合格NPNSingle200WISOLATEDStandard100 ns电源控制70ns1.2kV50A1200V170 ns2.9V @ 15V, 30A570 nsNPT120nC60A4.6mJ (on), 3.4mJ (off)20V6.5V无SVHCROHS3 Compliant无铅-------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins26 Weeks通孔通孔TO-247-33-1.2kV2V-55°C~175°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-385W未说明未说明----Single--Standard---2.4V50A1200V-2.4V @ 15V, 25A-Trench178nC100A1.95mJ (on), 600μJ (off)--无SVHC符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)385W154 ns87ns/179ns21.4mm16.25mm5.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB25N120SWG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120SWG IGBT Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IXA37IF1200HJ | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | ISOPLUS247™ | IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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