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首页 全部分类 IXDR30N120D1 vs IXA37IF1200HJ

IXDR30N120D1备选型号: IXA37IF1200HJ

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXDR30N120D1
    IXYS
    IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.4V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH SPEED SWITCHING, LOW SWITCHING LOSS, FAST RECOVERY
    200W
    未说明
    未说明
    IXD*30N120
    3
    不合格
    NPN
    Single
    200W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    70ns
    1.2kV
    50A
    40ns
    1200V
    170 ns
    2.9V @ 15V, 30A
    570 ns
    NPT
    120nC
    60A
    4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
    20V
    6.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA37IF1200HJ
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    -
    195W
    未说明
    未说明
    -
    3
    不合格
    -
    Single
    195W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    -
    1.2kV
    58A
    350ns
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    350 ns
    PT
    106nC
    -
    3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    N-CHANNEL
    TO-247AD
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
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