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IXFA14N60P备选型号: FQB12N60CTM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK21 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON14A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, PolarHT™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2550mOhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定600V鸥翼未说明14A未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING550m Ω @ 7A, 10V5.5V @ 2.5mA2500pF @ 25V36nC @ 10V27ns±30V26 ns14A30V600V42A900 mJROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-12A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2007--Obsolete1 (Unlimited)----600V--12A----Single-225W-N-Channel-650mOhm @ 6A, 10V4V @ 250μA2290pF @ 25V63nC @ 10V85ns±30V90 ns12A30V600V--符合RoHS标准无铅3D2PAK (TO-263AB)150°C-55°C600V2.29nF650mOhm650 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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