ON Semiconductor FQB12N60CTM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 225W Tc

Turn Off Delay Time

155 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

额定电流

12A

元素配置

Single

功率耗散

225W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

85ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

输入电容

2.29nF

漏源电阻

650mOhm

最大rds

650 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅