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IXFA16N50P备选型号: STB11N52K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, PolarHT™2006e3活跃1 (Unlimited)3400mOhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定500VTHROUGH-HOLEunknown16ASingle增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 8A, 10V5.5V @ 2.5mA2250pF @ 25V43nC @ 10V25ns±30V22 ns16A5.5VTO-220AB30V500V40A无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™--Obsolete1 (Unlimited)2--ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼--Single增强型MOSFET125W-N-ChannelSWITCHING510m Ω @ 5A, 10V4.5V @ 50μA1400pF @ 50V51nC @ 10V18ns±30V42 ns10A3.75V-30V525V40A无SVHCROHS3 Compliant无铅EAR99STB11N4R-PSSO-G27 ns0.51Ohm170 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB15N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB | 对比 |
| STB11N52K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK | 对比 |
 | STB14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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