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IXFA20N50P3备选型号: FDB20N50F
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON20A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2011e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING300m Ω @ 10A, 10V5V @ 1.5mA1800pF @ 25V36nC @ 10V500V±30V20A0.3Ohm40A500V300 mJROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FRFET®, UniFET™2013e3活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)--鸥翼not_compliant-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING260m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3390pF @ 25V65nC @ 10V-±30V20A0.26Ohm80A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)31.762gyesEAR99未说明未说明1Single250W45 ns120ns60 ns30V500V4.83mm10.67mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | STB34N50DM2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 26A | 对比 |
| FDB20N50F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK | 对比 |
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