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IXFA22N65X2备选型号: IPB65R150CFDAATMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 22A TO-26319 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB5.5V @ 1.5mA22A TcHiPerFET™2015-55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel160m Ω @ 11A, 10V2310pF @ 25V38nC @ 10V650V±30V22Anot_compliantROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB4.5V @ 900μA22.4A TcAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™2008-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-未说明未说明N-Channel150m Ω @ 9.3A, 10V2340pF @ 100V86nC @ 10V-±20V22.4Anot_compliantROHS3 Compliant3SILICONe3no2Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素650V0.15Ohm72A614 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STB34N50DM2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 26A | 对比 |
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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