Infineon Technologies IPB65R150CFDAATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

195.3W Tc

Number of Elements

1

已出版

2008

系列

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 9.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 900μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2340pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

22.4A

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

雪崩能量等级（Eas）

614 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅