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IXFA24N60X备选型号: TK20G60W,RVQ
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 场效应管特性
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 24A TO-26319 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB24A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2015活跃1 (Unlimited)N-Channel175m Ω @ 12A, 10V4.5V @ 2.5mA1910pF @ 25V47nC @ 10V600V±30V24AROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB20A Ta150°C TJTape & Reel (TR)DTMOSIV2013活跃1 (Unlimited)N-Channel155m Ω @ 10A, 10V3.7V @ 1mA1680pF @ 300V48nC @ 10V-±30V20A符合RoHS标准33.949996g1Single50 ns25ns6 ns30V600V超级交界处无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A | 对比 |
| STB33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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