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IXFA4N100Q-TRL备选型号: FQB5N60CTM-WS

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包装
系列
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零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
输入电容
最大rds
RoHS状态
无铅

IXFA4N100Q-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (IXFA)
4A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
HiPerFET™
2011
不用于新设计
1 (Unlimited)
N-Channel
3Ohm @ 2A, 10V
4.5V @ 1.5mA
1050pF @ 25V
39nC @ 10V
1000V
±20V
4A
1.05nF
3 Ω
ROHS3 Compliant
无铅
FQB5N60CTM-WS

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 4.5A

4 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
4.5A Tc
-
Tape & Reel (TR)
QFET®
-
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
2.5 Ω @ 2.25A, 10V
4V @ 250μA
670pF @ 25V
19nC @ 10V
600V
±30V
4.5A
-
-
ROHS3 Compliant
-
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	FQB5N60CTM-WS	ON Semiconductor	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 4.5A	对比