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首页 全部分类 IXFB38N100Q2 vs FJL6825ATU

IXFB38N100Q2备选型号: FJL6825ATU

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • IXYS
    IXFB38N100Q2
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3 Tab) PLUS 264
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    264
    SILICON
    38A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    250MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    890W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 19A, 10V
    5.5V @ 8mA
    13500pF @ 25V
    250nC @ 10V
    28ns
    1000V
    ±30V
    15 ns
    38A
    30V
    1kV
    152A
    5000 mJ
    26.59mm
    20.29mm
    5.31mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJL6825ATU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 750V 25A TO-264
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    -
    750V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    750V
    200W
    25A
    NPN
    3V
    25A
    6 @ 12A 5V
    1mA
    3V @ 3A, 12A
    1.5kV
    6V
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