您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXFH102N15T vs IRFP4710PBF

IXFH102N15T备选型号: IRFP4710PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFH102N15T
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    102A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2005
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 1mA
    5220pF @ 25V
    87nC @ 10V
    150V
    ±20V
    102A
    0.018Ohm
    300A
    150V
    750 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4710PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    72A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 45A, 10V
    5.5V @ 250μA
    6160pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    72A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    3
    14Ohm
    100V
    72A
    Single
    190W
    35 ns
    130ns
    38 ns
    5.5V
    TO-247AC
    20V
    100V
    100V
    110 ns
    5.5 V
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFP4768PBF IRFP4768PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC 对比
STW90NF20 STW90NF20 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-channel 200V, 83A STripFET Mosfet 对比
IRFP4710PBF IRFP4710PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC 对比