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首页 全部分类 IXFH14N60P vs IPW65R190CFDAFKSA1

IXFH14N60P备选型号: IPW65R190CFDAFKSA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 反向恢复时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大双电源电压
  • IXYS
    IXFH14N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    14A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 7A, 10V
    5.5V @ 2.5mA
    2500pF @ 25V
    36nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    26 ns
    200 ns
    14A
    5.5V
    TO-247AD
    30V
    0.55Ohm
    600V
    42A
    600V
    900 mJ
    5.5 V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R190CFDAFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    17.5A
    -
    -
    30V
    0.19Ohm
    -
    57.2A
    -
    484 mJ
    -
    21.1mm
    16.03mm
    5.16mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    650V
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