STMicroelectronics STW13NK60Z
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STW13NK60Z
2381-STW13NK60Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
--最小包装量--
STW13NK60Z详情
STMicroelectronics STW13NK60Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
9.071847g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
61 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
550mOhm
电压 - 额定直流
600V
额定电流
13A
基本部件号
STW13N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2030pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STW13NK60Z拓展信息
STMicroelectronics
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