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首页 全部分类 IXFH150N15P vs HUF75852G3

IXFH150N15P备选型号: HUF75852G3

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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFH150N15P
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 150A TO-247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™ HiPerFET™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    714W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 4mA
    5800pF @ 25V
    190nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    28 ns
    150A
    TO-247AD
    20V
    0.013Ohm
    150V
    340A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75852G3
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7690pF @ 25V
    480nC @ 20V
    151ns
    ±20V
    107 ns
    75A
    -
    20V
    -
    150V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    16MOhm
    150V
    74A
    150V
    75A
    22 ns
    无
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