ON Semiconductor HUFA75852G3-F085

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.39g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

500W Tc

Turn Off Delay Time

82 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7690pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

480nC @ 20V

上升时间

151ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

107 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准