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首页 全部分类 IXFH15N100 vs SPW11N80C3FKSA1

IXFH15N100备选型号: SPW11N80C3FKSA1

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFH15N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    15A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2000
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    700mOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 4mA
    4500pF @ 25V
    220nC @ 10V
    30ns
    1000V
    ±20V
    30 ns
    15A
    4.5V
    20V
    1kV
    60A
    1kV
    4.5 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW11N80C3FKSA1
    Infineon Technologies
    In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 7.1A, 10V
    3.9V @ 680μA
    1600pF @ 100V
    85nC @ 10V
    -
    800V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    33A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    NO
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    11A
    0.45Ohm
    800V
    470 mJ
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