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IXFH15N100Q3备选型号: IPW90R1K0C3FKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-24720 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON15A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™2011活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定unknown31Single增强型MOSFET690WDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING1.05 Ω @ 7.5A, 10V6.5V @ 4mA3250pF @ 25V64nC @ 10V250ns1000V±30V15A30V1kV45A16.26mm16.26mm5.3mmROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-2476 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON5.7A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008Obsolete1 (Unlimited)3--3--增强型MOSFET89W-70 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 3.3A, 10V3.5V @ 370μA850pF @ 100V34nC @ 10V20ns-±20V5.7A20V-12A---符合RoHS标准无铅e3yesEAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE35 nsTO-247AD900V1Ohm97 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW12NK80Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | N-Channel 1 kV 0.7 O 350 W Zener Protected SuperMESH Power MosFet - TO-247 | 对比 |
| IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 | 对比 |
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