IXFH18N90P备选型号: IPW65R190CFDAFKSA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247AD (IXFH)
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    540W
    N-Channel
    600mOhm @ 500mA, 10V
    6.5V @ 1mA
    5230pF @ 25V
    97nC @ 10V
    33ns
    900V
    ±30V
    44 ns
    18A
    30V
    900V
    5.23nF
    600mOhm
    600 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    17.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2012
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 700μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    -
    17.5A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    未说明
    未说明
    3
    增强型MOSFET
    12 ns
    SWITCHING
    650V
    0.19Ohm
    57.2A
    484 mJ
    21.1mm
    16.03mm
    5.16mm
    无铅
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